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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2021-11-10 瀏覽數(shù)量：
電容器AEC-Q200認證需要做ESD靜電放電測試，測試方法依據(jù)AEC-Q200-002，廣東優(yōu)科檢測具備AEC-Q200全項測試能力，接下來為大家介紹電容器AEC-Q200認證中的ESD靜電放電測試方法。
當對人或設(shè)備充電的靜電釋放到電子設(shè)備或組件時，會施加電磁能量沖擊；因此電容器必須具有恒定的 ESD 電阻或更高。
ESD 電阻的測試方法有以下三種：(1) HBM、(2) MM 和 (3) CDM，具體取決于產(chǎn)生靜電的模型。
在這些測試中，(1) HBM 是電容器的 ESD 電阻最常用的測試方法，如下所述：
(1) HBM（人體模型）：測試基于人體釋放靜電的假設(shè)；
(2) MM（機器型號）：測試基于機器釋放靜電的假設(shè)；
(3) CDM（充電設(shè)備模型）：測試基于帶電設(shè)備釋放靜電的假設(shè)。
HBM的ESD測試標準有AEC-Q200-002、IEC61000-4-2等，HBM模型常數(shù)因標準而異，如下表所示。
| 標準 | 充電電容 Cd（pF） | 放電電阻Rd（Ω） |
| AEC-Q200-002 | 150 | 2000 |
| IEC61000-4-2 | 150 | 330 |
AEC-Q200-002的HBM ESD測試電路和放電電流波形如圖1和圖2所示。
（1）當開關(guān) 2 打開時，開關(guān) 1 閉合，并施加高壓電源以在充電電容器 (Cd) 中蓄電。
（2）開關(guān) 1 打開，開關(guān) 2 閉合，Cd 中積聚的電流施加到測試電容器 (Cx) 以執(zhí)行測試。
※Cx：測試電容，Cd：充電電容，Rd：放電電阻，Rc：保護電阻
圖 1：HBM 的 ESD 測試電路
圖 2：放電電流波形
在AEC-Q200-002中，HBM的ESD測試流程如圖3所示，等級分類如表1所示。 測試按照圖3流程進行，耐壓等級按表1分類。
圖 3：HBM ESD 測試流程
表 1. HBM ESD 測試流程
| 分類 | 最大耐受電壓 |
| 1A | 小于 500V (DC) |
| 1B | 0.5 kV (DC) 以上，1 kV (DC) 以下 |
| 1C | 1 kV (DC) 以上，2 kV (DC) 以下 |
| 2 | 2 kV (DC) 以上，4 kV (DC) 以下 |
| 3 | 4 kV (DC) 以上，6 kV (DC) 以下 |
| 4 | 6 kV (DC) 以上，8 kV (DC) 以下 |
| 5A | 8 kV (DC) 以上，12 kV (AD) 以下 |
| 5B | 12 kV (AD) 以上，16 kV (AD) 以下 |
| 5C | 16 kV (AD) 以上，25 kV (AD) 以下 |
| 6 | 25 kV (AD) 或更高 |
DC：直接接觸放電 AD：空氣放電
測試電容器的電容會影響電容器兩側(cè)出現(xiàn)的電壓。
圖 4：HBM 的 ESD 測試電路
在測試電容器的電容 (Cx) 和兩側(cè)出現(xiàn)的電壓 (Vx) 之間建立以下關(guān)系。
雖然電源電壓(Vd)和充電電容器(Cd)的電容是恒定的，但是隨著測試電容器的電容(Cx)變大，出現(xiàn)在測試電容器兩側(cè)的電壓(Vx)變低。
因此，一般而言，測試電容器的容量越大，ESD耐性越有變高的傾向。
事實上，由于耐壓的邊際性能會隨著設(shè)計的差異而變化，例如電介質(zhì)的類型和厚度，該值并不總是符合上述趨勢。
測試條件：充電電容 = 150pF，放電電阻 = 2000Ω，應(yīng)用次數(shù) = 正/負極性各 5 次，樣品數(shù)量 = 每個樣品 10 個。
測量裝置：ESD測試儀。
樣品狀況：表面覆蓋硅樹脂以防止表面泄漏。
周邊環(huán)境：22±5°C，30 至 60% RH。
驗收標準：絕緣電阻 1MΩ。
圖 5：高介電型電容器 ESD 測試結(jié)果（Vd = 25 kV 是測量極限）
以上就是關(guān)于電容器ESD靜電放電測試_AEC-Q200-002的介紹，如果您有電容器、電阻器、電感器、變壓器和晶體等無源器件需要做AEC-Q200認證測試，歡迎聯(lián)系廣東優(yōu)科檢測工程師！
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