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SiC MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認證機構(gòu)

文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間:2023-12-19 瀏覽數(shù)量:

SiC MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認證機構(gòu)

SiC MOSFET器件相對于傳統(tǒng)的硅(Si)器件具有許多優(yōu)點,如更高的溫度耐受性、更高的功率密度和更低的導通和開關(guān)損耗。因此,在汽車電子中,尤其是在電動汽車和混合動力車輛中,SiC MOSFET器件越來越受到關(guān)注。通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,代表著SiC MOSFET器件產(chǎn)品具有優(yōu)異品質(zhì)和高可靠性,是半導體企業(yè)在汽車領(lǐng)域立足必要且首選的“入場券”。

優(yōu)科檢測是專業(yè)第三方AEC-Q101車規(guī)認證測試機構(gòu),實驗室具備AEC-Q101標準CNAS全項檢測資質(zhì)和CNCA發(fā)證能力,可提供SiC MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認證測試服務(wù)。


SiC-MOSFET器件AEC-Q101車規(guī)認證.jpg


AEC-Q101認證測試項目

1. 各項參數(shù)測試:如性能測試、外觀、參數(shù)驗證、物理尺寸、熱阻、雪崩耐量、短路可靠性、介質(zhì)完整性等。

2. 環(huán)境應力實驗:按照軍用電子器件環(huán)境適應性標準和汽車電子通用環(huán)境適應性標準,執(zhí)行器件的應力實驗,如高溫反偏、高溫柵偏壓、溫度循環(huán)、高壓蒸煮、HAST、高溫高濕反偏、高溫高濕工作、間歇工作壽命、功率溫度循環(huán)、常加速、振動、沖擊、氣密性等

3. 工藝質(zhì)量評價:針對封裝、后續(xù)電子組裝工藝,以及使用可靠性進行的相應元器件工藝質(zhì)量評價,如ESD、DPA、端子強度、耐溶劑試驗、耐焊接熱、可焊性、綁線拉力剪切力、芯片推力、無鉛測試等。


AEC-Q101認證測試報告包含內(nèi)容

AEC-Q101試驗報告是一份詳細的測試報告,用于評估汽車電子零部件在各種條件下的性能和可靠性。該報告包括以下內(nèi)容:

1. 測試目的:明確測試的性質(zhì)、目的、對象、參考標準和依據(jù)。

2. 測試設(shè)備:列出測試所需的所有設(shè)備和儀器,包括名稱、型號、規(guī)格和編號。

3. 測試條件:描述測試所需的環(huán)境條件,如溫度、濕度、壓力等。

4. 測試樣品:描述測試樣品的特征,如尺寸、重量、顏色等。

5. 測試程序:詳細說明測試的步驟和方法,包括測試前準備、測試過程和測試后處理。

6. 測試結(jié)果:記錄測試過程中的所有數(shù)據(jù)和結(jié)果,包括圖表、曲線和照片等。

7. 數(shù)據(jù)分析:對測試結(jié)果進行分析和解釋,得出結(jié)論和建議。

8. 報告總結(jié):總結(jié)測試報告的主要內(nèi)容和結(jié)論,提出建議和改進措施。


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