廣東優(yōu)科檢測是獲得CNAS和CMA資質(zhì)認可的第三方檢測機構，實驗室具備元器件二次篩選資質(zhì)和測試能力，可提供電連接器、微電子器件、半導體分立器件等元器件二次篩選服務。接下來為大家介紹電子元器件二次篩選試驗項目及標準。

電子及電氣元件環(huán)境試驗

1. 溫度沖擊(溫度循環(huán)）

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 107；

微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法 1010.1；

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 1051；

電連接器試驗方法 1000 類 環(huán)境試驗 GJB1217A-2009 方法 1003。

2. 老煉

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 108；

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法1038/1039/1040/1042；

有失效率等級的無包封多層片式瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB192B-2011 4.5.16；

有可靠性指標的固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB63B-2001 4.7.20；

有失效率等級的非固體電解質(zhì)鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.21；

微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法 1005.1；

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 1026。

3. 粒子碰撞噪聲檢測

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 217；

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 2052；

微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法 2020.1。

4. 沖擊

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 2016；

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 2004；

5. 振動試驗

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 2056；

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 2005；

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.11。

6.  鹽霧試驗

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1041,1046；

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 1001。

7. 耐濕

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1021；

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 1002。

8. 穩(wěn)態(tài)濕熱

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 103。

9. 穩(wěn)定性烘焙

檢測標準（方法）：

微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法 1008.1；

半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1031。

10. 低氣壓

檢測標準（方法）：

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 1011；

微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法 1001；

半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1001。

11. 加速度

檢測標準（方法）：

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 2011。

12. 密封

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 1071。

電子及電氣元件性能檢測

1. 電阻器

試驗項目：電阻值

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 303；

有質(zhì)量等級的薄膜固定電阻器總規(guī)范 GJB 244A-2001 4.8.5；

高穩(wěn)定薄膜固定電阻器總規(guī)范 GJB 1929-1994 4.6.2；

片式膜固定電阻器通用規(guī)范 GJB 1432B-2009 4.5.2；

膜固定電阻網(wǎng)絡,膜固定電阻和陶瓷電容的阻容網(wǎng)絡通用規(guī)范 GJB 920A-2002 4.5.5；

有可靠性指標的精密固定電阻器總規(guī)范 GJB 1862-1994 4.7.5；

功率型線繞固定電阻器總規(guī)范 GJB 2828-97 4.6.2。

2. 電容器

試驗項目：電容量

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 305；

1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.3；

2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.3；

高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.3；

有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.3；

高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.7；

有可靠性指標的塑料膜（或紙－塑料膜）介質(zhì)（金屬,陶瓷或玻璃外殼密封）固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.10；

有和無可靠性指標的塑料膜介質(zhì)交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.8；

含宇航級金屬化塑料膜介質(zhì)密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.10；

含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.6；

有失效率等級的非固體電解質(zhì)鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.4；

非固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 1312A-2001 4.7.6；

有可靠性指標的固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 63B-2001 4.7.7；

非氣密封固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 1520-1992 4.7.5。

試驗項目：損耗角正切

檢測標準（方法）：

電子設備用固定電容器 第一部分總規(guī)范 GB/T 2693-2001 4.8.1；

1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.4；

2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.4；

高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.4；

有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.4；

高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.8；

有可靠性指標的塑料膜（或紙－塑料膜）介質(zhì)（金屬,陶瓷或玻璃外殼密封）固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.11；

有和無可靠性指標的塑料膜介質(zhì)交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.9；

含宇航級金屬化塑料膜介質(zhì)密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.11；

含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.7；

有失效率等級的非固體電解質(zhì)鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.5；

非固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 1312A-2001 4.7.7；

有可靠性指標的固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 63B-2001 4.7.8；

非氣密封固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 1520-1992 4.7.6。

試驗項目：漏電流

檢測標準（方法）：

有失效率等級的非固體電解質(zhì)鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.3；

非固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 1312A-2001 4.7.5；

有可靠性指標的固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 63B-2001 4.7.6；

非氣密封固體電解質(zhì)鉭電容器總規(guī)范 GJB 1520-1992 4.7.4。

試驗項目：絕緣電阻

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 302；

1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.7；

2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.6；

高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.8；

有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.5；

高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.10；

有可靠性指標的塑料膜（或紙－塑料膜）介質(zhì)（金屬,陶瓷或玻璃外殼密封）固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.9；

有和無可靠性指標的塑料膜介質(zhì)交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.5；

含宇航級金屬化塑料膜介質(zhì)密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.9；

含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.5；

試驗項目：介質(zhì)耐電壓

檢測標準（方法）：

電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 301；

1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.5；

2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.5；

高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.5；

有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.6；

高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.9；

有可靠性指標的塑料膜（或紙－塑料膜）介質(zhì)（金屬,陶瓷或玻璃外殼密封）固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.7；

有和無可靠性指標的塑料膜介質(zhì)交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.6；

含宇航級金屬化塑料膜介質(zhì)密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.7；

含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.2。

3. 二極管

試驗項目：正向電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 4011；

半導體器件分立器件和集成電路 第 2 部分：整流二級管 GB/T 4023-2015 7.1.2；

半導體器件 分立器件 第 3 部分：信號（包括開關）和調(diào)整二級管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 節(jié) 2，第 2 節(jié) 5。

試驗項目：反向電流

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 4016；

半導體器件分立器件和集成電路 第 2 部分：整流二級管 GB/T 4023-2015 7.1.4；

半導體器件 分立器件 第 3 部分：信號（包括開關）和調(diào)整二級管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 節(jié) 1，第 2 節(jié) 4。

試驗項目：擊穿電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件分立器件和集成電路 第 2 部分：整流二級管 GB/T 4023-2015 7.1.3。

試驗項目：工作電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件 分立器件 第 3 部分：信號（包括開關）和調(diào)整二級管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。

4. 雙極型晶體管

試驗項目：集電極-射極擊穿電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 3011。

試驗項目：集電極-基極擊穿電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 10.2。

試驗項目：發(fā)射極-基極擊穿電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 10.2。

試驗項目：集電極-基極截止電流

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 2.1。

試驗項目：集電極-發(fā)射極截止電流

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 3。

試驗項目：發(fā)射極-基極截止電流

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 2.2。

試驗項目：正向電流傳輸比

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 2 節(jié) 7。

試驗項目：集電極-發(fā)射極飽和電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 4。

試驗項目：基極-發(fā)射極飽和電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件和集成電路 第 7 部分：雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 5。

5. 場效應晶體管

試驗項目：漏一源擊穿電壓

檢測標準（方法）：

半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 3407。

試驗項目：柵極漏泄電流

檢測標準（方法）：

半導體器件 分立器件 第 8 部分：場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 2。

試驗項目：漏極電流

檢測標準（方法）：

半導體器件 分立器件 第 8 部分：場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 3。

試驗項目：靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻

檢測標準（方法）：

半導體器件 分立器件 第 8 部分：場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 15。

試驗項目：漏極電流

檢測標準（方法）：

半導體器件 分立器件 第 8 部分：場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 4。

試驗項目：正向跨導

檢測標準（方法）：

半導體器件 分立器件 第 8 部分：場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 10。

6. 電位器

試驗項目：總阻值

檢測標準（方法）：

線繞預調(diào)電位器通用規(guī)范 GJB 917A-2011 4.5.2.2；

非線繞預調(diào)電位器通用規(guī)范 GJB 918A-2011 4.5.2.2。

試驗項目：終端電阻

檢測標準（方法）：

非線繞預調(diào)電位器通用規(guī)范 GJB 918A-2011 4.5.2.3。

7. 電感器

試驗項目：電感量

檢測標準（方法）：

有和無可靠性指標的模制射頻固定電感器通用規(guī)范 GJB 675A-2002 4.5.3.2。

試驗項目：品質(zhì)因素

檢測標準（方法）：

有和無可靠性指標的模制射頻固定電感器通用規(guī)范 GJB 675A-2002 4.5.3.3。

試驗項目：直流電阻

檢測標準（方法）：

射頻固定和可變片式電感器通用規(guī)范 GJB 1864A-2011 4.5.8.5。

8. 連接器

試驗項目：介質(zhì)耐電壓

檢測標準（方法）：

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 3001。

試驗項目：絕緣電阻

檢測標準（方法）：

電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 3003。

9. 電磁繼電器

試驗項目：吸合電壓

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.3.1；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。

試驗項目：釋放電壓

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.3.3；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。

試驗項目：吸合時間

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

試驗項目：吸合斷開

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。

試驗項目：吸合回跳

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。

試驗項目：釋放時間

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

試驗項目：釋放斷開

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

試驗項目：釋放回跳

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.5.1；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。

試驗項目：繞圈電阻

檢測標準（方法）：

有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.1；

電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.1。

10. 固態(tài)繼電器

試驗項目：輸出接通電阻

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。

試驗項目：輸出電壓降

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。

試驗項目：開啟電流

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.2。

試驗項目：瞬態(tài)電壓

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.17。

試驗項目：接通時間

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.13。

試驗項目：關斷時間

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.14。

試驗項目：接通電壓

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.6。

試驗項目：關斷電壓

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.7。

試驗項目：偏置電流

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.4。

試驗項目：控制電流

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.5。

試驗項目：輸出漏電流

檢測標準（方法）：

固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.16。

11. 半導體集成電路運算放大器

試驗項目：輸入失調(diào)電壓

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 5。

試驗項目：輸入失調(diào)電流

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 6。

試驗項目：輸入偏置電流

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 7。

試驗項目：共模抑制比

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 12。

試驗項目：電源電壓抑制比

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 13。

試驗項目：輸出電壓范圍

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 14。

試驗項目：開環(huán)電壓放大倍數(shù)

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 10。

試驗項目：電壓轉(zhuǎn)換速率（壓擺率）

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第 IV 篇 第 2 節(jié) 20。

12. 半導體集成電路電壓比較器

試驗項目：輸入失調(diào)電壓

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1。

試驗項目：輸入失調(diào)電流

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.3。

試驗項目：輸入偏置電流

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.5。

試驗項目：靜態(tài)電源電流

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.7。

試驗項目：共模抑制比

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.9。

試驗項目：電源電壓抑制比

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.11。

試驗項目：輸出電壓幅度

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.13。

試驗項目：開環(huán)電壓增益

檢測標準（方法）：

半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.8。

13. 數(shù)字集成電路CMOS 電路

試驗項目：輸出高電平電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。

試驗項目：輸出低電平電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇第 2 節(jié) 1。

試驗項目：電源電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。

試驗項目：輸入電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。

14. 半導體集成電路 TTL 電路

試驗項目：功能測試

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 節(jié) 6。

試驗項目：輸入鉗位電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 6。

試驗項目：輸出高電平電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。

試驗項目：輸出低電平電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。

試驗項目：輸入高電平電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。

試驗項目：輸入低電平電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。

試驗項目：輸出短路電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 3。

試驗項目：輸出高阻態(tài)電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 7。

試驗項目：電源電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。

試驗項目：延遲時間

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 節(jié) 4.2。

15. 半導體集成電路電壓調(diào)整器

試驗項目：線性調(diào)整率

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇 第 3 節(jié) 2。

試驗項目：負載調(diào)整率

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 節(jié) 4。

試驗項目：紋波抑制比

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 節(jié) 3。

試驗項目：靜態(tài)電流

檢測標準（方法）：

半導體集成電路第 3 部分：模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 節(jié) 7。

16. 集成電路模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器

試驗項目：數(shù)字輸入電流

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。

試驗項目：輸出高電平電壓

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。

試驗項目：輸出低電平電壓

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。

試驗項目：增益誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。

試驗項目：零點誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。

試驗項目：線性誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。

試驗項目：微分線性誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。

17. 集成電路數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器

試驗項目：數(shù)字端輸入電流

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。

試驗項目：增益誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。

試驗項目：零點誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。

試驗項目：線性誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。

試驗項目：微分線性誤差

檢測標準（方法）：

集成電路 A/D 和 D/A 轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。

18. DC/DC 變換器

試驗項目：輸出電壓

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.1。

試驗項目：輸出電流

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.2。

試驗項目：輸出紋波電壓

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.3。

試驗項目：電壓調(diào)整率

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.4。

試驗項目：電流調(diào)整率

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.5。

試驗項目：交叉調(diào)整率

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.6。

試驗項目：輸入電流

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.7。

試驗項目：效率

檢測標準（方法）：

混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.9。

19. 半導體集成電路存儲器

試驗項目：輸出高電平電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。

試驗項目：輸出低電平電壓

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。

試驗項目：輸出高阻態(tài)電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 7。

試驗項目：輸入高電平電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。

試驗項目：輸入低電平電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。

試驗項目：工作狀態(tài)時電源電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。

試驗項目：待機狀態(tài)時電源電流

檢測標準（方法）：

半導體器件集成電路第 2 部分：數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。