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場效應(yīng)晶體管二次篩選機構(gòu)

文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間:2023-11-13 瀏覽數(shù)量:

場效應(yīng)晶體管二次篩選機構(gòu)

元器件二次篩選是為剔除早期失效的元器件而進(jìn)行的可靠性無損試驗,為提高元器件的批可靠性,元器件使用方或其委托單位在承制方篩選的基礎(chǔ)上需要進(jìn)行二次篩選。

優(yōu)科檢測是專業(yè)第三方電子元器件二次篩選機構(gòu),實驗室具備場效應(yīng)晶體管CNAS檢測資質(zhì)和檢測能力,可提供場效應(yīng)晶體管二次篩選服務(wù)。


場效應(yīng)晶體管二次篩選.jpg


場效應(yīng)晶體管二次篩選依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)

GJB 33A-1997 《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》

GJB 128A-1997 《半導(dǎo)體分立器件試驗方法》

GB/T 4586-1994 《半導(dǎo)體器件 第 8 部分 場效應(yīng)晶體管》


場效應(yīng)晶體管二次篩選項目

1. 內(nèi)部目檢;

2. 溫度循環(huán);

3. 恒定加速度;

4. PIND;

5. 編序列號;

6. 初始電參數(shù)測試;

7. 老練;

8. 終點電參數(shù)測試;

9. 計算變化量;

10. 計算PD;

11. PDA;

12. 密封試驗(細(xì)檢漏、粗檢漏);

13. X射線照相檢驗;

14. 外觀檢查。


場效應(yīng)晶體管電參數(shù)測試項目

1. 柵源短路時柵極漏電流Igss

2. 漏極電流Id(on)

3. 漏-源短路漏極電流Idss

4. 漏-源擊穿電壓Bydss

5. 柵極閾值電壓Vgs (th)

6. 正向跨導(dǎo)ggs(Vgs)

7. 靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻Rds(on)


場效應(yīng)晶體管二次篩選機構(gòu)


電子元器件二次篩選流程

1. 收樣、標(biāo)識、入庫、入系統(tǒng);

2. 目檢;

3. 電參數(shù)測試:按照產(chǎn)品規(guī)格書電性能或電氣性能測試;

4. 老練篩選:高溫、反偏、功率等;

5. 環(huán)境應(yīng)力測試:振動、沖擊、離心加速度、溫度循環(huán);

6. 密封性檢查:粗細(xì)檢漏、PIND;

7. 三溫電參數(shù)測試:按照產(chǎn)品規(guī)格書電性能或電氣性能測試

6. 打點、封裝、出庫。


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