電子元件的門類繁多，從普通的電阻、電容、電感通用元件、機(jī)電元件、光電器件、半導(dǎo)體分立器件、微波器件及組件、電真空器件，直到大規(guī)模集成電路等， 其中只要有一個(gè)電子元件失效，整個(gè)電子設(shè)備或系統(tǒng)就不能正常工作，甚至導(dǎo)致災(zāi)難性的安全事故。而要確保每個(gè)電子元件的可靠性絕非易事，涉及到材料、工藝和應(yīng)用的各個(gè)眾多復(fù)雜的環(huán)節(jié)。

失效分析是指利用電學(xué)、物理、化學(xué)等技術(shù)手段對(duì)失效品進(jìn)行分析，探究和查明失效機(jī)理和失效原因。

由于電子元件研制涉及到設(shè)計(jì)、工藝和材料選擇等很多要素和復(fù)雜過(guò)程，其失效又與應(yīng)用場(chǎng)景密切相關(guān)，不同的應(yīng)用場(chǎng)景又涉及到包括電應(yīng)力、機(jī)械、化學(xué)和氣候環(huán)境應(yīng)力等各種導(dǎo)致失效的要素。因此，失效分析需要聲、光、電、熱、物理和化學(xué)等各種高技術(shù)手段的綜合運(yùn)用，需要對(duì)產(chǎn)品和應(yīng)用的了解，還需要有豐富的經(jīng)驗(yàn)?zāi)軌驅(qū)Ω鞣N證據(jù)之間的邏輯關(guān)系進(jìn)行分析。

電子元件失效分析技術(shù)簡(jiǎn)介

1、外觀檢查技術(shù)

外觀檢查是失效分析的開(kāi)始，一般都是無(wú)損的，主要是對(duì)失效電子元件或模塊的外部外觀、失效周邊的微環(huán)境，以及開(kāi)封后內(nèi)部電路和模塊的外觀的檢查，目的是發(fā)現(xiàn)失效的現(xiàn)場(chǎng)或區(qū)域，以及導(dǎo)致失效的線索和直接證據(jù)，具體包括機(jī)械損傷、腐蝕、污染氧化、熱電燒毀、密封與端子異常和標(biāo)識(shí)等。傳統(tǒng)的檢查技術(shù)一般都是通過(guò)放大鏡或立體顯微鏡和金相顯微鏡目測(cè)或檢查，通?？梢詫?shí)現(xiàn)幾十到上千倍的放大倍數(shù)。

2、電性能分析技術(shù)

電性能分析技術(shù)是指在各種溫度條件和頻率條件下的阻容感抗測(cè)試、半導(dǎo)體和集成電路的端口測(cè)試等，測(cè)試分析電子元件參數(shù)變化、異常節(jié)點(diǎn)和端口，為失效定位或分析方向提供依據(jù)?？煞治龀鲞B接性失效、電參數(shù)失效和功能失效三種失效模式。其中，連接性失效多由靜電放電（ESD）和過(guò)點(diǎn)應(yīng)力（EOS）引起；電參數(shù)失效主要表現(xiàn)形式有電參數(shù)值超出規(guī)定范圍或者參數(shù)不穩(wěn)定，而對(duì)功能失效的分析主要用于集成電路。

3、顯微形貌技術(shù)

現(xiàn)代顯微分析技術(shù)是失效分析最為核心的技術(shù)手段。主要是利用先進(jìn)的掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電鏡（TEM）和原子力顯微鏡（AFM）技術(shù)分析失效點(diǎn)或疑似失效部位的微觀結(jié)構(gòu)和金相組織及其在應(yīng)力條件下的演變、研究失效機(jī)理。如圖4所示，利用SEM對(duì)TSV進(jìn)行失效分析，發(fā)現(xiàn)三個(gè)失效品分別出現(xiàn)空洞、裂紋、填充缺失缺陷。

4、無(wú)損結(jié)構(gòu)分析技術(shù)

以X射線透視技術(shù)和聲學(xué)掃描顯微鏡（SAT）為代表的結(jié)構(gòu)無(wú)損分析技術(shù)，用以檢測(cè)元器件的封裝情況，如氣泡、邦定線異常、晶粒尺寸、支架方向等。它可以分析板級(jí)的大樣品，分辨率達(dá)到納米級(jí)，對(duì)于高密度封裝的電子元件內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷分析定位是一種非常有力而方便的技術(shù)手段。如圖5所示，利用X射線對(duì)TSV進(jìn)行掃描后經(jīng)三維模型重建后發(fā)現(xiàn)，失效品存在明顯缺陷。

5、開(kāi)封制樣技術(shù)

開(kāi)封主要用于暴露封裝體內(nèi)部芯片，以便于觀察芯片表面的形貌結(jié)構(gòu)和進(jìn)一步開(kāi)展電測(cè)試。激光開(kāi)封技術(shù)和先進(jìn)的微波等離子體（MIP）開(kāi)封技術(shù)很好地解決了復(fù)雜芯片封裝的開(kāi)封制樣問(wèn)題。

切片主要用于制作電子元件封裝的關(guān)鍵截面，便于觀察分析結(jié)構(gòu)缺陷或互聯(lián)界面的結(jié)構(gòu)形貌。先進(jìn)的雙束聚焦離子束（FIB）利用高能離子束在可疑失效部位做微米級(jí)的切割修飾或制作切片，現(xiàn)已廣泛地應(yīng)用于集成電路的失效分析制樣。以3D封裝里硅通孔TSV為例，圖6展示了FIB在失效分析中的作用。

6、微區(qū)成分分析技術(shù)

由于污染氧化、腐蝕、遷移、工藝和環(huán)境導(dǎo)致的電子元件或芯片表面或微區(qū)產(chǎn)生化學(xué)成分的變化，而導(dǎo)致失效的案例比比皆是，因此微區(qū)成分的原位分析就非常重要。除了與掃描電子顯微鏡（SEM）配合使用的能譜分析（EDS）以外，還有很多高靈敏度的分析技術(shù)也達(dá)到了普遍的應(yīng)用，包括光電子能譜（XPS）、俄歇電子能譜（AES）、二次離子質(zhì)譜（SIMS）和傅立葉紅外光譜（FTIR）等。

7、其他物理分析技術(shù)

利用電子元件特別是芯片內(nèi)部缺陷在工作或非工作狀態(tài)下產(chǎn)生光或熱效應(yīng)的原理來(lái)進(jìn)行失效定位的物理分析技術(shù)這些年來(lái)發(fā)展迅速。例如，利用激光束掃描芯片電路產(chǎn)生電阻變化的差異來(lái)進(jìn)行失效定位的光束感生電阻變化；利用電子束掃描芯片表面產(chǎn)生的電壓襯度像來(lái)臨偵測(cè)開(kāi)路或短路的失效部位；利用紅外探頭掃描工作狀態(tài)下樣品表面的熱輻射，并將其轉(zhuǎn)換成溫度分布的顯微紅外熱像技術(shù)，根據(jù)異常點(diǎn)的溫度變化來(lái)做失效定位等等。

第三方電子元件失效分析檢測(cè)機(jī)構(gòu)

優(yōu)科檢測(cè)是專業(yè)第三方電子元件失效分析檢測(cè)機(jī)構(gòu)，可提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的電子元器件 DPA、FA 失效分析服務(wù)，可利用電學(xué)、物理和化學(xué)等各種分析技術(shù)手段，確認(rèn)電子元器件的失效原因，并提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議，防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。